真空室

包含收带室、放带室、溅射室，分别约为Φ400×300mm、Φ400×300mm和Φ350×460mm，内烘烤100～150℃

真空获得及测量

抽气可达2×10^-5Pa，采用ZDF-2复合计测量

矩形磁控靶

单靶溅射，尺寸约200ｘ60ｘ5（mm），钐钴材料，水冷不腐蚀，耐用寿命长。可手动调节靶与衬底的距离，调节距离30-80mm

衬底卷绕系统

衬底缠绕在收放卷筒上，收卷筒采用步进电机+精密行星减速器+磁流体密封组件带动转动，样品移动速度:5—10mm/min，连续可调、 自动控制。在衬底背面对衬底加热，加热炉为电阻式，样品加热温度：室温～200℃，加热控温采用自动温度控制器，加热面积140´100 mm2

样品退火系统

退火炉可选择连续工作和非连续工作两种模式。非连续工作模式的含义指可根据实际需要，设定加热时间及间隔时间，使加热及不加热周期交替进行。退火时样品温度200℃。加热面积不小于120´40 mm2，均匀性为 ±5 ℃。

电控系统

射频电源： 一台 1000W

加热控温电源：二台，采用FP系列温度控制器进行加热、退火控温。

水冷却及水流报警系统

统配有分水器和水流继电器，用来对分子泵、磁控靶等进行冷却,一旦缺水或水流不足，将进行报警并切断相应电源，以防止损坏设备