代表性研究内容

先进光刻工艺

       利用电子束光刻、导向自组装（DSA）、纳米压印等实现深纳米尺度微纳结构的制备，并寻求其与工业化产线结合的可行性；开发极紫外光刻（EUVL）相关工艺及光刻胶材料，探索面向下一代的新型光刻技术。采用先进光刻技术开展新型微纳电子器件的研制，包括仿生电子器件和神经形态器件。

纳米电子器件

       研发宽禁带半导体（GaN、SiC和金刚石）的高电子迁移率晶体管

新型纳米光电器件

       研发如下器件与系统：全硅基红外光电探测器及焦平面芯片、超表面结合传统III-V族半导体探测器的窄波段红外探测器和红外偏振探测器、石墨烯集成硅纳米线及阵列的高灵敏度红外探测器、基于石墨烯的新型红外探测器

微纳平板透镜

       （可见光和X射线的平板透镜（波带片）的理论设计与研制