代表性研究内容
先进光刻工艺
利用电子束光刻、导向自组装(DSA)、纳米压印等实现深纳米尺度微纳结构的制备,并寻求其与工业化产线结合的可行性;开发极紫外光刻(EUVL)相关工艺及光刻胶材料,探索面向下一代的新型光刻技术。采用先进光刻技术开展新型微纳电子器件的研制,包括仿生电子器件和神经形态器件。
纳米电子器件
研发宽禁带半导体(GaN、SiC和金刚石)的高电子迁移率晶体管
新型纳米光电器件
研发如下器件与系统:全硅基红外光电探测器及焦平面芯片、超表面结合传统III-V族半导体探测器的窄波段红外探测器和红外偏振探测器、石墨烯集成硅纳米线及阵列的高灵敏度红外探测器、基于石墨烯的新型红外探测器
微纳平板透镜
(可见光和X射线的平板透镜(波带片)的理论设计与研制
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